国家标准计划《金属氧化物半导体气敏元件总规范》由 339-1（工业和信息化部（电子））归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、郑州炜盛电子科技有限公司 、汉威科技集团股份有限公司 。

金属氧化物半导体气敏元件，是以金属氧化物半导体为基础材料，当被测气体在该半导体表面吸附后，引起其电学特性（如电导率）发生变化的气敏元件，由金属氧化物半导体气敏材料、基底、封装外壳组成。

主要有烧结型、厚膜型、薄膜型、混合型四种类型。

GB/T15653-1995规定了金属氧化物半导体气敏元件性能参数测试方法的基本原理，没有规定这些方法在具体使用时的技术细节。

随着技术的发展，金属氧化物半导体气敏元件由基于敏感效应的固态传感器发展到现在基于MEMS、CMOS的功能强大的智能传感器。

随着技术水平和使用需求的提高，产品参数体系也更加全面，尤其是一些环境恶劣的工业应用场合，对产品外壳材料、防爆及抗硅中毒方面有很明确的要求，同时国内外金属氧化物半导体气敏元件的技术已发展的足以适应不断更新的应用需求。

原标准的测试方法已不能满足全面评价金属氧化物半导体气敏元件性能的检测需要，急需开展修订。

通过对本标准的修订，有利于促进国产金属氧化物半导体气敏元件质量水平的提升和国际化，统一不同厂家产品的质量水平，引导国内产业发展，指导各类气敏元件产品的研制、生产、检测和使用。

本标准是金属氧化物半导体气敏元件的总规范，规拟规定金属氧化物半导体气敏元件的术语定义、分类命名、技术要求、试验方法、检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求等。适用于金属氧化物半导体气敏元件，其他气敏元件亦可参照使用。