国家标准计划《机械电气安全 电敏保护设备 第3部分:使用有源光电漫反射保护装置(AOPDDR)设备的特殊要求》由 TC231(全国工业机械电气系统标准化技术委员会)归口 ,主管部门为中国机械工业联合会。
主要起草单位 通用技术集团机床工程研究院有限公司 。
29 电气工程 |
29.020 电气工程综合 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 61496-3:2018。
采标中文名称:机械安全 电敏保护设备 第3部分:使用有源光电漫反射保护装置(AOPDDR)设备的特殊要求。
电敏保护设备适用于对人体存在伤害风险的机械,对保护人身健康和安全具有重要作用。
该标准属于本系列标准的第3部分,本标准补充或修改了GB/T 19436.1中的相应条款,规定了作为机械防护设备的电敏保护设备(ESPE)的设计、制造和试验的特殊要求,该要求针对使用有源光电漫反射保护装置(AOPDDR)执行敏感功能的ESPE。
现行GB 19436.3-2008标准等同采用IEC 61496-3:2001制定,作为我国电敏保护设备领域重要安全强标,发布10多年来,对提高我国电敏保护设备设计和生产水平、规范市场起到了重要作用。
目前,现行标准对应的IEC 61496-3:2001版已被IEC 61496-3:2018版代替。
为此,应对GB 19436.3现行标准进行及时修订, 一方面能够促进我国电敏保护设备功能完善和质量提升,另一方面,也能促使我国电敏保护设备技术的发展与国际接轨和同步,对推动我国电敏保护产品新技术发展和提高市场占有率具有重要的积极作用。
1.范围: 本标准规定了作为安全相关系统的一部分专门设计用于检测人体或人体部分,敏感功能使用有源光电漫反射防护装置(AOPDDRs)的电敏保护设备(ESPE)的设计、制造和试验的附加要求。ESPE可以包括一些可选的安全功能,选择功能的要求在本文件的附录A和IEC 61496-1:2012附录A中均给出。 本标准只限于ESPE的功能和其如何与机械交互,不规定检测区的尺寸或结构以及在任何特殊应用中危险部件的布局,也未规定构成任何机械的危险状态。 AOPDDR是满足下列任一条件的检测装置: ——具有一个或多个二维检测区(AOPDDR-2D)或; ——具有一个或多个三维检测区(AOPDDR-3D) 其中由发送器元件发射近红外线照射检测区。当发射的光线遇到物体(例如人体或人体部分)时,一部分射线由漫反射方式反射到接收器元件。此反射用于确定对象的位置。那些只具有一维、点光源距离测量的光电装置,例如接近开关等,也不在本标准讨论范围之内。 本标准不涉及对检测对象进行复杂分类或区分所要求的方面。本标准不涉及户外应用的要求和试验。 本标准不适用于辐射波长峰值在820 nm~950 nm范围以外的AOPDDR,以及不是由自身发射光线的那些AOPDDR。对于使用辐射波长在该范围以外的敏感装置,本标准可作为指南使用。本标准适用于最小检测物体尺寸在30 mm至200 mm范围内的AOPDDR。 本标准可能与那些非人体保护的应用有关,例如:保护机器或产品免于机械性损坏。在某些应用中,不同要求可能是合适的,比如:需要由敏感功能来检测的物体具有不同于人体和衣物的特性时。 本标准不涉及电磁兼容性(EMC)发射要求。 2.主要技术内容 主要技术内容包括使用有源光电漫反射保护装置(AOPDDR)设备的功能、设计和环境要求,试验要求、识别标志和安全使用标志要求以及随机文件要求。 3.主要修订内容: —— 更改了文件的适用范围(见1); —— 增加了术语“检测能力”和“检测区”(见3.3和3.4); —— 增加了术语“二维有源光电漫反射保护装置”等(见3.302至3.3.08); —— 更改了术语“容差区”(见3.309); —— 增加了术语“检测能力受限区”(见3.309); —— 更改了“功能要求”中对2型和3型ESPE的要求(见4.1.3); —— 更改了“检测能力受限区”的章节序号及技术要求(见4.1.6); —— 更改了“设计要求”中故障检测要求的规定,包括“对2型ESPE的特殊要求”和“对3型ESPE的特殊要求”的章节名称及技术要求(见4.2.2); —— 更改了“AOPDDR检测能力的完整性”中“检测及容差区”的要求,检测区和容差区的相关参数变化(见4.2.12.2); —— “AOPDDR检测能力的完整性”中“扫描几何形状、扫描频率和响应时间”更改为“对检测的影响”的规定,补充了AOPDDR的应用要求(见4.2.12.4); —— 新增了“AOPDDR检测能力的完整性”中“最小检测区”的规定(见4.2.12.4); —— 更改了“型式试验用试件”的章节名称及若干规定,试验所使用的试件相应变化(见4.2.13); —— 更改了“波长”的要求(见4.2.14); —— 更改了“辐射强度”的要求,新增若干规定(见4.2.14); —— 更改了“机械环境”的要求(见4.3.3); —— 更改了“对AOPDDR接收元件和其他光学部件的光干扰”中光源的要求(见4.3.5); —— 更改了“污染干扰”的要求(见4.3.6); —— 更改了“周围物体干扰”的章节名称和技术要求,增加了对于多径反射的要求(见4.3.7); —— 更改了“污染干扰”的要求(见4.3.8); —— “元件老化”更改为“部件漂移或老化”,相应技术内容变化(见4.3.10); —— 更改了“工作条件”的技术要求(见5.1.1.2); —— 新增了“测量精度”一节(见5.1.2.2); —— “传感功能和检测能力”更改为“敏感功能”,相应技术内容变化(见5.2.1); —— 更改了“检测能力的完整性”中“白炽光的影响”的试验要求(见5.2.1.2.2); —— 更改了“检测能力的完整性”中“背景反射白炽光的影响”的试验要求(见5.2.1.2.3); —— 删除了“检测能力的完整性”中“频闪光的影响”一节; —— “测距精度”更改为“位置精度”(见5.2.10); —— 更改了“对检测的影响”中的若干试验的试验要求(见5.2.11); —— 更改了“故障条件下的性能试验”和“环境试验”中若干条款及技术内容(见5.3和5.4); —— 更改了“标识标志和安全试验标志”中检测平面和距离测量起点的标示要求(见6); —— 更改了“随机文件”中若干规定,补充了若干对AOPDDR必要信息的要求(见7)。