国家标准计划《半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 充电模型（CDM） 器件级》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中电国基北方有限公司 、河北北芯半导体科技有限公司 、工业和信息化部电子第五研究所 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60749-28:2022。

采标中文名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第28部分：静电放电（ESD）敏感度测试 充电模型（CDM） 器件级。

早期的静电放电模型采用人体模型（HBM），随着芯片生产制造设备自动化程度的提高，充电模型（CDM）变得更为重要。

带电器件模型适用于芯片生产、制造、组装等过程，是工厂环境下的静电等级评价方法。

本标准根据暴露于指定感应场充电模型（CDM）静电放电（ESD）时所造成的损伤或退化敏感度,建立了器件和微型电路测试、评价、分级的程序。

该标准适用于评价所有封装的半导体器件、薄膜电路、声表面波（SAW）器件、光电器件、混合集成电路（HICs）及包括任意这些器件的多芯片组件（MCMs）。

复现充电模型（CDM）静电放电（ESD）失效，实现充电模型（CDM）静电放电（ESD）准确分级是本标准的最终目标。

本标准是GB/T 4937系列标准中的第28部分，与其他部分一起构成一套完整的半导体器件机械和气候试验方法标准。

通过该系列标准的制定，规范和统一半导体器件的质量和可靠性和检验试验方法，可以确定半导体器件为实现预定用途与要求而采取的必要的限制措施，对于评价半导体器件工作的可靠性提供实质性参考，是评价和考核半导体器件质量的非常重要的、基础的试验方法。

该标准属于方法标准，等同采用IEC 60749-28:2022，与国际标准一致，该标准的采用将促进我国半导体器件的质量水平与国际水平接轨。

本标准可应用于所有封装形式的半导体器件，能够复现CDM失效，为多种类型的器件提供不区分试验设备的可靠、可重复的CDM ESD测试结果。可重复性数据能够实现准确的充电模型（CDM）静电放电（ESD）敏感度等级的分级和对比。 本标准主要包括7章内容。第1章范围、第2章规范性引用文件、第3章术语和定义、第4章所需设备、第5章测试机周期性确认、波形记录及波形验证 第6章充电模型（CDM）静电放电（ESD）测试要求和程序、第7章充电模型（CDM）分级标准。标准的附录部分对文中未提及或未详细说明的内容，进行了详细的说明或规定。附录A（规范性）描述了验证模块（金属圆片）规范及验证模块和测试设备清洁指南，附录B（规范性）规定了测试设备绝缘介质上的验证模块（金属圆片）电容值的测试过程，附录C（规范性）规定了对小封装集成电路和分立半导体（ICDS）的测试的具体实施细节，附录D（资料性）补充说明了CDM测试硬件和计量提升的方法，附录E（资料性） 补充说明了CDM测试设备电气原理图，附录F（资料性）补充说明了示波器设置并进行了波形样例展示，附录G（资料性）补充说明了感应场CDM测试设备放电过程，附录H（资料性）补充说明了波形验证过程，附录I（资料性）补充说明了确定大模块或器件完全充电的合适充电延时的具体方法步骤，附录J（资料性）补充说明了静电放电（ESD）敏感度测试直接接触充电模型（DC-CDM）。