国家标准计划《LED外延芯片用砷化镓衬底》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 大庆溢泰半导体材料有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中科晶宇芯源(大庆)半导体材料有限公司 、江苏华兴激光科技有限公司 、中山德华芯片技术有限公司 。

半导体材料经过几十年的发展，目前基本形成三个系列，即以锗、硅为代表的第一代半导体材料；以砷化镓、磷化铟为代表的第二代III-V族化合物半导体材料，以及以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料。

三代材料在应用上各有侧重，硅材料的应用最为普及，是构成电子信息技术的主要支柱，砷化镓、磷化铟材料在工作速度、频率上优势明显，而碳化硅、氮化镓将在更高的工作温度和高频下更大的功率密度方面具有优势。

在化合物半导体中，砷化镓是继硅之后发展最快、应用最广、产量最大的半导体材料，是红、橙、黄光发光二极管（LED）的唯一衬底材料，广泛用于半导体照明、高清全彩显示屏、激光器、无人驾驶汽车等领域。

随着5G、新一代显示、数据中心、无人驾驶、手机面部识别、可穿戴设备等市场需求的增长，为 III-V 族化合物半导体材料带来了广阔的需求空间。

砷化镓由于耐高温、可用频率范围大、高频下低噪声干扰等特性，非常适合应用于PA器件中。

LED外延芯片用砷化镓衬底的产能逐年递增，目前国内主流LED外延芯片用砷化镓衬底尺寸为4英寸，年产能约700万片，产值约7亿元人民币。

国外砷化镓衬底材料已发展到以6英寸为主，并已有有少量的8英寸砷化镓衬底生产，随着国内砷化镓制备技术水平的提升，国内4/6英寸衬底水平逐渐与国际水平相当。

随着器件和电路的大批量生产，为了提高生产效率、降低成本，使用大直径的衬底片是必然的发展趋势。

原标准GB/T 30856-2014中未包含8英寸砷化镓衬底，未规定n型和p掺杂剂及截面电阻率均匀性，衬底的晶向偏离度等内容需要更改，随着行业的不断发展，原标准已无法满足客户的市场需求，故对GB/T 30856-2014《LED外延芯片用砷化镓衬底》进行修订，以引导砷化镓行业发展，满足市场需求和促进技术进步。

本次修订的LED外延芯片用砷化镓衬底标准与GB/T 30856-2014相比，主要技术变动如下： a）增加“Φ200mm”直径规格砷化镓衬底 ； b）电学性能需要增加n型和p掺杂剂及截面电阻率均匀性； c）增加“Φ200mm”直径规格参考面的取向、形状和尺寸 ； d）更改晶向及晶向偏离角度，增加常规的标准化产品角度； e）增加“Φ200mm”规格的外形尺寸，修改厚度范围、修改平整度（TIR）、总厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）； f）增加不同直径不同等级的位错密度； g）检验项目中增加复测检验晶向及晶向偏移度； h）修改包装盒标志内容； 增加25片卡塞包装。