国家标准计划《LED外延芯片用砷化镓衬底》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 大庆溢泰半导体材料有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中科晶宇芯源(大庆)半导体材料有限公司 、江苏华兴激光科技有限公司 、中山德华芯片技术有限公司 。

本次修订的LED外延芯片用砷化镓衬底标准与GB/T 30856-2014相比，主要技术变动如下： a）增加“Φ200mm”直径规格砷化镓衬底 ； b）电学性能需要增加n型和p掺杂剂及截面电阻率均匀性； c）增加“Φ200mm”直径规格参考面的取向、形状和尺寸 ； d）更改晶向及晶向偏离角度，增加常规的标准化产品角度； e）增加“Φ200mm”规格的外形尺寸，修改厚度范围、修改平整度（TIR）、总厚度变化（TTV）、翘曲度（Warp）； f）增加不同直径不同等级的位错密度； g）检验项目中增加复测检验晶向及晶向偏移度； h）修改包装盒标志内容； 增加25片卡塞包装。