国家标准项目《宇航用集成电路内引线气相沉积保护膜试验方法》由 TC425（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会）归口，TC425SC2（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会宇航电子分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 北京微电子技术研究所 。

本项标准项目，针对集成电路气相沉积保护薄膜工艺方法与考核方法进行研究，制定集成电路封装需要进行气相沉积保护薄膜的依据及判断方法。制定采取气相沉积工艺的电路应进行的考核内容，包括强力学加电可靠性评价、气相沉积保护薄膜材料考核、电路可靠性考核等相关内容，形成的标准将适用于陶瓷封装的单芯片集成电路、多芯片集成电路、混合集成电路的内部绝缘防护。同时明确了绝缘防护后，可靠性考核试验采用的设备、试验原理、方法与程序进行规范与要求。 我所基于近十年集成电路气相沉积保护薄膜技术研究积累以及应用成果，充分结合高可靠领域广泛需求，结合现行通用标准与电路结构特殊性，借鉴行业、企业标准要求，新增、完善气相沉积保护薄膜工艺后的考核方法。标准主要包括高密度引线键合封装定义、强力学环境可靠性评价以及气相沉积后电路的考核要求，其中考核要求中包含内部目检、外部目检、电学绝缘能力考核、键合强度、稳态寿命、温度循环、热冲击等试验要求。