国家标准计划《微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法》由 TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 合肥美的电冰箱有限公司 、中机生产力促进中心有限公司等 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62047-16:2015。

采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第16部分：MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法。

当MEMS结构中沉积的薄膜存在残余应力时，会引起薄膜及其沉积基底在内的双层结构一起发生弯曲，其挠度与薄膜的残余应力直接相关。

残余应力为拉伸力时，基底呈凹状弯曲；残余应力为压缩力时，基底呈凸状弯曲。

本文件提供了两种MEMS薄膜力学特性的测试方法，分别为晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。

该方法可以提供MEMS结构力学参数，用以监控MEMS器件制造工艺和产品质量，为MEMS器件监管提供有效的测试手段。

本文件的应用可为MEMS器件的制造工艺提供共性技术支撑，推动新型MEMS技术发展，推动新型MEMS器件的产业化。

本文件规定了厚度范围为0.01μm至10μm的薄膜的残余应力的测试方法，包括晶圆曲率法和悬臂梁挠度法两种测试方法。所述薄膜应沉积在杨氏模量和泊松比等力学性能已知的基底上。本文件规定的方法用于确定沉积在所述基底上的薄膜内的残余应力。 本文件主要技术内容包括范围、引用标准、术语和定义、测试方法、测试装置、测试规程和测试报告等部分。