国家标准项目《微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法》由 TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 北京自动化控制设备研究所 、中机生产力促进中心有限公司等 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62047-31:2019。

采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第31部分：层状MEMS材料界面结合能的四点弯曲试验方法。

本标准规定了一种基于断裂力学概念来测量层状微机电系统(MEMS)中最弱界面的界面吸附能的四点弯曲试验方法 一种基于断裂力学概念的四点弯曲试验方法，该方法用于测量层状微机电系统（MEMS）中界面最薄弱点的界面结合能。在各种MEMS器件中，有许多层状材料界面，其结合能对MEMS器件的可靠性至关重要。 本标准所规定的四点弯曲试验，是利用作用在层状MEMS器件试验件上的纯弯曲力矩，造成最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩，来测量界面结合能。 本标准适用于在半导体衬底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层的总厚度应比支撑衬底（通常是硅片）的厚度小100倍。