国家标准项目《半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 山东有研半导体材料有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 。

本标准规定了半导体晶片近边缘形态的评价原理、试验步骤及计算方法等内容，主要针对于8-12英寸硅片。该评价方法同样适用于其他尺寸的硅片和不同材料的半导体晶片。 方法原理：扫描测试片获得晶片高度的数据阵列。按照不同的半径和圆心角，将晶片划分为若干扇形区域。选取每个扇形区域中高度的数据阵列，计算沿晶片半径方向的二阶导数数值，逐一获得每个扇形区域的高度的二阶导数，从而定量评价晶片的近边缘形态晶片近边缘几何形态评价方法拟分为4个部分，本次申报第1部分“高度径向二阶导数法（ZDD）”，此后会将边缘卷曲评价方法（ROA）、边缘扇形局部平整度评价方法（ESFQR、ESFQD和ESBIR）以及边缘不完整区域的局部平整度评价方法分别作为第2、3、4部分进行申报，以与国际评价方法接轨，形成系列完整的近边缘几何形态的评价方法，以满足集成电路制备中不同工艺需求。