国家标准项目《 埋层硅外延片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 南京国盛电子有限公司 、河北普兴电子科技股份有限公司 、天津晶华科技有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、华润科技股份有限公司 。

本标准主要规定埋层硅外延片的产品分类：按尺寸分为4-8英寸（100mm-200mm）；按导电类型分为N型和P型；按晶向分为〈111〉、〈100〉等。同时本标准规定了埋层硅外延片的主要评判指标与测试方法手段，具体有埋层硅外延片的图形漂移量、图形畸变量，衬底的电阻率、外延层的中心电阻率和允许偏差、厚度及厚度变化、径向电阻率、纵向电阻率分布及过渡区宽度、表面缺陷、表面金属杂质、颗粒、几何参数等。另外规定了试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于N型和P型埋层硅外延片，产品用于制作集成电路或半导体器件。