国家标准计划《高纯镓》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研国晶辉新材料有限公司 、朝阳金美镓业有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、峨眉山市峨半高纯材料有限公司 。

本标准适用于以纯度不小于99.99%的工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶等工艺制得的纯度不小于99.9999%的高纯镓，产品用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂。 本次修订主要对高纯镓的适用范围、杂质元素的含量、化学分析方法等内容进行修订。主要内容包括： 1. 更改了产品用途，将原版中的“产品供制备化合物半导体材料和高纯合金”修改为“产品主要用于制备化合物半导体、高纯合金以及半导体材料的掺杂”。镓作为半导体材料的掺杂剂，直接影响材料性能，也是高纯镓的主要用途之一，标准范围中增加对应内容，技术指标也结合这类用途进行确定。 2. 更改了规范性引用文件，将原版中的“YS/T 474 ICP-MS分析法测定高纯镓中的痕量元素”修改为“YS/T 38 高纯镓化学分析方法”（YS/T 38.3为正在制定中的GD-MS法对高纯镓进行全元素分析），以完善高纯镓中硅含量的测试和全元素分析。引用文件中增加“GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定”，对测试数据修约处理提供明确依据。 3. 增加术语和定义章节。 4. 将产品分类单列为第4章，删除分类中关于牌号与纯度对应关系的描述，牌号表示Ga-06改为Ga6N、Ga-07改为Ga7N、MBE级改为Ga8N。 5. 修改化学成分的规定，将影响迁移率、载流子浓度的Al、S、K、In、Ca、Hg、As、Ag、Co等杂质加入化学成分要求，并按目前的实际客户需求和生产情况对其他杂质限值进行更改；杂质含量单位由×10-6%改为ng/g（10-9）。 6. 修改产品外观质量的描述，将液态及固态高纯镓的外观质量分别表示。 7. 修改化学分析方法，Ga6N的化学分析方法修改为“YS/T 38 高纯镓化学分析方法”第1、2部分；Ga7N、Ga8N化学分析方法修改为正在制定的第3部分，同时将附录A删除。 8. 修改检查验收的规则，将“产品由供方技术监督部门进行检验”修改为“供方或第三方”，同时对外观质量、化学成分异议提出期限分别作规定。 9. 组批的规定中增加对同一生产周期的要求。 10. 明确了检验项目条款，增加了对外观质量的检验取样要求。 11. 检验结果的判定中增加对检验结果数值修约的规定，更改了外观质量的检验结果判定。 12. 质量说明书改为随行文件，并对随行文件内容进行修改。