国家标准项目《碳化硅晶体材料缺陷图谱》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 东莞市天域半导体科技有限公司 、第三代半导体产业技术创新战略联盟 、北京大学东莞光电研究院 、北京天科合达半导体股份有限公司 、芜湖启迪半导体有限公司 、河北同光晶体有限公司等 。

本文件规定了碳化硅晶体缺陷的术语和定义、形貌特征、产生原因及除方法。本文件适用于碳化硅单晶晶锭、碳化硅衬底片和碳化硅外延片制备过程中各种缺陷的检验和分析。具体拟包括如下缺陷： 1)晶锭缺陷包括：裂纹、六方空洞、杂晶、硅滴、碳包裹物、边缘多晶、多型等； 2)衬底缺陷包括：位错、层错、微管、碳包裹体、晶型包裹体、双Shockly型堆垛层错、螺位错、刃位错、基晶面位错、小角晶界、划痕和CMP隐含划痕等； 3)外延缺陷包括：表面形貌缺陷、掉落颗粒物、三角形缺陷、彗星缺陷、胡萝卜缺陷、直线型缺陷、小坑缺陷、梯形缺陷、台阶聚集、外延凸起、乳凸、界面位错、原生型层错、不全位错、半环列阵、点缺陷、碳空位、外延层螺位错、外延层刃位错和外延层基晶面位错等； 4)工艺缺陷包括：高温退火缺陷、氧化缺陷、电应力诱导缺陷、电应力诱导条形层错和干法刻蚀缺陷等。 本标准已联合多家单位，经过前期的技术积累，收集汇总了200余张缺陷图谱，具备制定标准的技术基础。标准研制过程中也将联合国内主流的碳化硅晶体材料企事业单位、科研院所继续进行图谱的收集、分析，最终确定上述图谱及分析。