国家标准项目《流化床法颗粒硅》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 江苏中能硅业科技发展有限公司 、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 、亚洲硅业（青海）股份有限公司 。

本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料采用流化床法制得的颗粒硅，考虑到目前颗粒硅的成熟生产方法仍然只是流化床法，所以此次修订标准题目保持《流化床法颗粒硅》。今后如有其他生产工艺量产颗粒硅，可在本标准修订时再考虑删除方法的限定。 主要技术变动内容如下： 1、提高1、2、3级品施主杂质浓度的要求。具体修改拟为：施主杂质浓度由不大于1.10、2.30、4.80 ppba改为0.68、1.40、2.61 ppba； 2、提高特级品和1级品受主杂质浓度的要求。受主杂质浓度由不大于0.20、0.26 ppba改为0.10、0.20 ppba； 3、提高特级品、1、2、3级品碳含量的要求。碳含量由不大于2.0×1016atoms/cm3、2.5×1017atoms/cm3、3.0×1017atoms/cm3、5.0×1017atoms/cm3改为1.5×1016atoms/cm3、2.5×1016atoms/cm3、5.0×1016atoms/cm3、1.0×1017atoms/cm3； 4、提高特级品氢浓度的要求。氢浓度由不大于30 mg/kg改为15 mg/kg； 5、总金属杂质含量元素增加K、Al、Zn；提高1、2、3级品总金属（Fe、Cr、Ni、Cu、Na、K、Al、Zn）杂质含量的要求，由不大于100 、300、600 ng/g改为15、50、100 ng/g。 6、更改试验方法，具体修改拟为：氢含量测试明确为20184311-T-469《流化床法颗粒硅 氢含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法》，尺寸测试的标准ISO 13322.2改为GB/T 21649.2-2017《粒度分析 图像分析法 第2部分：动态图像分析法》。