国家标准计划《半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62417:2010。

采标中文名称:半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的自由离子试验。

本标准是半导体器件试验方法系列标准的重要组成部分，用来规范和统一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的自由离子试验方法，是评价和考核微电子器件性能及可靠性的非常重要的、基础的试验方法之一。

自由电荷会引起微电子器件性能退化，如改变MOSFET的阈值电压或使双极型晶体管基极翻转。

对于MOSFET，阈值电压定义为使固定漏极电流通过晶体管所需要的栅压，由室温下的Ids-Vgs测试确定。

器件工作时高温使自由离子可以越过界面处的势垒，并且氧化层内离子迁移率相当高，从而引起Ids-Vgs曲线漂移。

曲线漂移的距离以绝缘体内自由电荷的数量进行表征。

因此确定MOSFET中自由离子的数量对于考核器件性能、评价其可靠性具有重要意义。

本标准等同采用IEC 62417: 2010，可以使我国的检验方法与国际接轨，使我国半导体器件的质量水平与国际水平接轨。

本标准为金属氧化物半导体场效应晶体管提供了一种晶圆级测试程序，该程序用于确定氧化层中正向自由电荷的数量。本标准既适用于有源场效应晶体管，也适用于寄生场效应晶体管。自由电荷会引起微电子器件退化，如改变MOSFET的阈值电压或使双极型晶体管基极翻转。 本标准主要技术内容包括范围、缩略语和字符、概述、测试设备、测试装置、样品尺寸、条件、程序、标准和报告。本标准提供了两种测试方法：偏置温度应力（BTS）和电压扫描（VS）。