国家标准项目《半导体器件 栅介质层的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62374:2007。

采标中文名称:半导体器件 栅介质层的时间相关（电）介质击穿（TDDB）试验。

描述圆片级的NMOS和PMOS晶体管栅介质层的时间相关（电）介质击穿试验，以确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的栅介质层的时间相关（电）介质击穿效应的寿命时间。 主要技术内容包括：直流应力下的测试结构要求、应力时间和应力条件选择、样品量、温度、失效判据和寿命计算方法，包括交流应力下的寿命时间计算方法。