国家标准计划《半导体器件 关于MOS晶体管的热载流子试验》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62416:2010。

采标中文名称:半导体器件 关于MOS晶体管的热载流子试验。

热载流子是指其能量比费米能级大几个kT以上的载流子，这些载流子与晶格不处于热平衡状态。

热载流子通过声子发射把能量传递给晶格，这会造成在Si/SiO2界面处能键的断裂，热载流子也会注入到SiO2中而被俘获。

键的断裂和被俘获的载流子会产生氧化层电荷和界面态，使氧化层电荷增加或波动不稳，这会影响沟道载流子的迁移率和有效沟道势能，这就是热载流子注入效应。

随着国内集成电路工艺技术的迅速发展，最小线宽从0.5微米到0.25微米、65纳米、再到14纳米发展的同时，集成电路中栅氧化层的厚度不断减薄，MOS管漏端的场强不断增大，热载流子注入效应仍对深亚微米、甚至纳米级CMOS工艺的可靠性构成潜在的威胁，要使产品的使用可靠性得到保证，必须对热载流注入效应的可靠性进行有效的监测和评价，以保证生产出的产品满足使用方的要求。

因此，为消除潜在缺陷，确保电路在整个产品寿命期间有良好的可靠性，需要对集成电路中的热载流子注入效应进行定量评价。

MOSFET晶体管热载流子试验方法的制定，将对MOSFET晶体管热载流子注入效应给出定量考核依据，对提高集成电路的可靠性，保证整机系统的高可靠起到巨大的推动作用，并进而推动集成电路产业的国产化进程。

本标准的范围是描述圆片级的NMOS和PMOS晶体管热载流子测试，以确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。 主要技术内容包括：直流应力下的测试结构要求、应力时间和应力条件选择、样品量、温度、失效判据和寿命计算方法，包括交流应力下的寿命时间计算方法。