国家标准计划《半导体器件 微机电器件 第26部分：微沟槽和针结构的描述和测量方法》由 TC336（全国微机电技术标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 苏州市质量和标准化院等 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62047-26:2016。

采标中文名称:半导体器件 微机电器件 第26部分：微沟槽和针结构的描述和测量方法。

经过半个世纪的发展，微机电系统（MEMS）已成为继集成电路后又一对国民经济和综合国力具有重大影响的战略高科技领域。

随着MEMS技术的快速发展，应用范围和市场的扩大，MEMS制造成本和效率日益受到重视，MEMS材料、加工工艺和产品越来越多样化，制造分工越来越细，加工的微器件、微构件和微系统等互换性越来越高，包括微沟槽在内的MEMS微结构功能特征的精度是保证其功能特性和器件互换性的基础。

在MEMS的加工过程中，环境因素的微小扰动都会对MEMS质量造成一定的影响。

因此，MEMS的质量控制日益受到重视，结构的设计、测量及工艺后的几何评估是实现MEMS质量保证与控制的关键环节。

本标准规定了对微米级的沟槽结构和针结构的描述方法，可以测量沟槽深度为1μm至100μm、壁和沟槽的宽度分别为5μm至150μm、和纵横比为0.0067到20的结构。

该标准通过对沟槽结构和针结构的描述，统一了各结构尺寸的测量范围和测量方法，为实现MEMS器件的交互提供共性基础技术支撑，提高了MEMS器件的生产加工效率，保证了器件之间的适配性，推动MEMS的产业化进程和微纳技术研究的发展。

。

本标准规定了对微米级的沟槽结构和针结构的描述。提供了两种结构几何形状的测量示例。 本标准适用于沟槽深度为1μm至100μm的结构；壁和沟槽的宽度分别为5μm至150μm；和纵横比为0.0067到20。 本标准适用于具有三个或四个面的针结构，其高度、水平宽度和垂直宽度为2μm或更宽，并且尺寸适合于边长为100μm的立方体内。 本标准适用于MEMS结构设计和MEMS工艺后的几何评估。