国家标准项目《碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 芜湖启迪半导体有限公司 、中国电子科技集团第四十六研究所 、中国电子科技集团第五十五研究所 、东莞市天域半导体科技有限公司 、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 、北京天科合达半导体股份有限公司 、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 。

本标准规定了碳化硅衬底上同质外延生长的碳化硅外延层（掺杂浓度5E14 cm-3-5E16 cm-3）厚度的红外反射测试方法。本标准适用于厚度（2-100）μm的碳化硅外延层的测试。 本标准主要规定了碳化硅外延片厚度的测试，明确了厚度的测试方法、试样要求、测试仪器及环境、测试步骤以及测量精度和偏差。 主要原理：碳化硅衬底与外延层由于掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反应外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。