国家标准计划《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 亚洲硅业（青海）股份有限公司 、乐山市产品质量监督检验所 、洛阳中硅高科技有限公司 。

本标准规定了酸浸取-电感耦合等离子体质谱法测试太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面金属杂质含量的方法。 本次修订主要包括以下几个方面： 1、将标准名称修改为《多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子质谱法》 2、将范围1.3中“使用的样品重量为50g～300g”改为“使用的样品重量为20g～120g”。 3、 将范围1.5中“该方法规定的样品重量约为300g”改为“该方法规定的样品重量约为120g”。 4、删除范围中1.4内容。 5、原酸清洗混合物配比HNO3：HF：H2O2：H2O=1：1：1：25，修改为酸清洗混合液A（1：2.5）HNO3：H2O与酸清洗混合液B：（1：3）HCl: H2O。 6、原浸取酸混合物配比HNO3：HF：H2O2：H2O=1：1：1：50，在HNO3和HF同时存在下会腐蚀硅料，引进部分体金属，故浸取酸更改为HNO3：H2O=1：9。 7、样品尺寸由原来的每块3cm×3cm×3cm，重量约50g，更改为3cm×3cm×1cm，重量约20g。 8、对原有清洗步骤部分的清洗方法进行调整。 9、在多晶硅硅块表面金属杂质浸取部分“9.2.2和9.2.3内容”，更改为“加入100ml浸取液没过样品，浸泡60min，直接检测浸取液中金属污染物”。 10、原有分析结果计算修改为M=（I-B）？ V/m。 11、修订干扰因素条款。 12、组织多晶硅企业开展复验，重新确定精密度条款。