国家标准计划《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 、广州昆德科技有限公司 、中国计量科学研究院 、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 。

半导体材料中的杂质沾污始终是行业面临的最大问题，也是影响材料质量最重要的问题，金属杂质在半导体中的含量直接影响后续器件的成品率、器件的性能，甚至直接导致器件的报废。

但是，半导体材料尤其是硅和锗中的杂质含量都不高，特别是其中的金属杂质，基本上都要求小于ppb水平，测试难度很大。

因此测试单晶棒或单晶片中少数载流子寿命来评价硅、锗中的金属沾污水平，一直是半导体材料测试中的重要方法，也是硅、锗单晶的基础技术指标之一。

半导体材料的非平衡载流子寿命是与半导体材料中的金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量，因为半导体硅、锗中的重金属杂质都是深能级杂质，这些杂质往往有两种不同的带电状态，这使得它们无论是对电子还是空穴都有一定的俘获能力，并起到复合中心的作用，因此，当半导体中依靠光激发或电注入等方法产生非平衡载流子时，这些深能级的复合中心起到了主要的复合作用，半导体材料中的重金属杂质复合中心越多，非平衡载流子的复合衰减速率就越快，寿命也就越短。

本标准中规定的光电导衰减法自上世纪60年代就用于测试硅、锗单晶中的少数载流子寿命，进而评价单晶质量，目前在国内外硅、锗半导体材料企业中仍然普遍使用。

之前涉及寿命测试的标准不多，本标准是一个常规测试方法。

而随着太阳能电池等低电阻率产品的普遍使用，为了提高信噪比，发展了中注入水平甚至是高注入水平的寿命测试方法。

目前，业内对这些方法的适用范围和相互之间的差异，甚至是对少数载流子寿命的概念非常模糊。

GB/T 1553-2009的应用存在了模糊地带，继续修订该标准以严格界定这些方法的区别和适用范围。

本次修订内容： 1. 除保留本方法中的直流光电导测试方法之外，将附录中国内厂家普遍使用的高频光电导方法移至正文中。 2. 修订少数载流子寿命的测试条件，明确使用本方法测试少数载流子寿命时必须满足小注入的条件。 3. 修订测试样品的要求。 4. 增加高频光电导法测试少数载流子寿命的干扰因素。 5. 开展巡回测试，得出直流光电导和高频光电导方法的精密度。 6. 参照SEMI MF28-0317，结合测试经验，对原标准内容进行进一步完善。