国家标准项目《硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 、广州昆德科技有限公司 、中国计量科学研究院 、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司 。

本次修订内容： 1. 除保留本方法中的直流光电导测试方法之外，将附录中国内厂家普遍使用的高频光电导方法移至正文中。 2. 修订少数载流子寿命的测试条件，明确使用本方法测试少数载流子寿命时必须满足小注入的条件。 3. 修订测试样品的要求。 4. 增加高频光电导法测试少数载流子寿命的干扰因素。 5. 开展巡回测试，得出直流光电导和高频光电导方法的精密度。 6. 参照SEMI MF28-0317，结合测试经验，对原标准内容进行进一步完善。