国家标准计划《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。
主要起草单位 有研半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、中科钢研节能科技有限公司 、浙江海纳半导体有限公司 。
| 77 冶金 |
| 77.040 金属材料试验 |
本次修订内容: 1、修订标准名称,由《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》改为《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X光荧光光谱法》。 2、测试方法的适用范围修订为“本标准适用于硅、砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光片的表面金属沾污的测定”, 3、增加砷化镓、碳化硅相关的样品制备、干扰因素等相关内容。 4、在干扰因素中增加对透明度高的晶片的影响。 5、精密度增加砷化镓、碳化硅抛光片(可能的话,加上其他材料抛光片)的巡回测试数据。