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国家标准计划《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 有研半导体材料有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司中科钢研节能科技有限公司浙江海纳半导体有限公司

目录

基础信息

计划号
20211956-T-469
制修订
修订
项目周期
18个月
下达日期
2021-07-21
公示开始日期
2020-08-17
公示截止日期
2020-08-31
标准类别
方法
国际标准分类号
77.040
77 冶金
77.040 金属材料试验
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

范围和主要技术内容

本次修订内容: 1、修订标准名称,由《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》改为《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X光荧光光谱法》。 2、测试方法的适用范围修订为“本标准适用于硅、砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光片的表面金属沾污的测定”, 3、增加砷化镓、碳化硅相关的样品制备、干扰因素等相关内容。 4、在干扰因素中增加对透明度高的晶片的影响。 5、精密度增加砷化镓、碳化硅抛光片(可能的话,加上其他材料抛光片)的巡回测试数据。