国家标准计划《电子特气 一氧化氮》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC1（全国半导体设备和材料标准化技术委员会气体分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 大连保税区科利德化工科技开发有限公司 、西南化工研究设计院有限公司等 。

电子特气一氧化氮主要用于集成电路导体技术领域，是一种性能极佳的高纯气体材料。

一氧化氮作为集成电路用量大、纯度要求高的基础材料，是国家重点鼓励发展的产品和产业，符合国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）和“十三五”科学和技术发展规划。

2018年3月，九大部委联合发布的《新材料标准领航行动计划（2018~2020）》中明确提出应建立和完善硅基半导体材料标准体系，建立超高纯特种电子气体等关键材料系列标准，加速集成电路制造产业国产化。

一氧化氮作为特种电子气体的系列产品，该标准的制定符合《新材料标准领航行动计划（2018~2020）》的要求。

随着集成电路技术进步，技术节点达到7纳米，晶圆制造达到12英寸，对高纯一氧化氮的质量提出更高要求，通过对标准的制定，旨在对生产和检测提供指导性作用，对下游半导体产业的发展提供质量保障。

有利于提高我国高端电子材料自给能力，推动电子相关产业进步，扩大我国高纯电子材料对外影响力，有效服务于国家战略需求。

本标准规定了一氧化氮的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、存储等要求。 本标准适用于一氧化氮产品，主要用于3D XPoint芯片、3D-NAND Flash相变存储器（PRAM）制程，是一种新型集成电路材料。 表1 一氧化氮技术指标 序号 检测项目 标准 1 一氧化氮纯度（NO），10-2(V/V) ≥99.99 2 氢含量（H2），10-6(V/V) ≤1 3 氧（氩）含量（O2+Ar），10-6(V/V) ≤1 4 氮含量（N2），10-6(V/V) ≤30 5 甲烷含量（CH4），10-6(V/V) ≤1 6 二氧化碳含量（CO2），10-6(V/V) ≤3 7 氧化亚氮含量（N2O），10-6(V/V) ≤60 8 二氧化氮含量（NO2），10-6(V/V) ≤50 9 水含量（H2O），10-6(V/V) ≤3 10 一氧化碳含量（CO），10-6(V/V) ≤1