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国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 西安电力电子技术研究所西安爱帕克电力电子有限公司英飞凌科技(中国)有限公司威海新佳电子有限公司江苏宏微科技有限公司

主要起草人 蔚红旗张立陈子颖乜连波王晓宝秦贤满

目录

标准状态

当前标准

GB/T 29332-2012 现行

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

基础信息

标准号
GB/T 29332-2012
发布日期
2012-12-31
实施日期
2013-06-01
标准类别
产品
中国标准分类号
L42
国际标准分类号
31.080.30;31.080.01
31 电子学
31.080 半导体分立器件
31.080.01 半导体分立器件综合
31.080.30 三极管
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-9:2007。

采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。

起草单位

起草人

蔚红旗
张立
王晓宝
秦贤满
陈子颖
乜连波

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