国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)》 由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 西安电力电子技术研究所 、西安爱帕克电力电子有限公司 、英飞凌科技(中国)有限公司 、威海新佳电子有限公司 、江苏宏微科技有限公司 。
主要起草人 蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。
GB/T 29332-2012 现行
31 电子学 |
31.080 半导体分立器件 |
31.080.01 半导体分立器件综合 |
31.080.30 三极管 |
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-9:2007。
采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。