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国家标准《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所

主要起草人 章安辉黄庆涛何秀坤

目录

标准状态

当前标准

GB/T 24576-2009 现行

高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法

基础信息

标准号
GB/T 24576-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
上次复审日期
2016-12-31
上次复审结论
继续有效
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

采标情况

本标准等同采用其他国际标准:SMEI M63-0306。

采标中文名称:准则:采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法。

起草单位

起草人

章安辉
黄庆涛
何秀坤

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