国家标准项目《CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》由 TC425（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会）归口，TC425SC2（全国宇航技术及其应用标准化技术委员会宇航电子分会）执行 ，主管部门为国家标准委。
主要起草单位 西安微电子技术研究所 。
| 31 电子学 |
| 31.200 集成电路、微电子学 |
本设计规范规定了CMOS数模混合集成电路抗辐射（总剂量效应、单粒子效应）设计加固的基本方法和一般要求。主要内容包括：电路级抗辐射加固设计原则及要求（数字电路基本单元总剂量效应及抗辐射加固设计，数字电路单粒子效应及抗辐射加固设计，模拟电路基本单元总剂量效应及抗辐射加固设计）；器件级抗辐射加固设计原则及要求（器件级抗总剂量辐射加固设计基本原则，数字电路基本单元抗总剂量版图加固设计，数字电路基本单元抗单粒子版图加固设计，模拟电路基本单元抗总剂量版图加固设计）。 技术领域范围为集成电路抗辐射加固设计技术，具体为CMOS数模混合集成电路抗辐射（总剂量效应、单粒子效应）加固设计。
51311050206高效电源抗辐射加固技术及验证研究 51311050301高速度高精度模拟集成电路抗辐射加固技术及验证研究
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