国家标准项目《硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 。

本方法适用于硅抛光片上各种半透明薄膜厚度的测试，也被用于硅衬底背面生长的氧化膜厚度和背面多晶硅厚度的监控样片测试，产品用于大规模集成电路和功率半导体器件。 本方法的适用范围为在硅衬底上生长的50 nm-5000 nm的氧化膜或多晶层厚度，以及所有光滑、半透明的和低吸收系数的薄膜，包括电解质和半导体材料。本方法可通过对膜层顶部、底部的反射光谱进行分析得到膜的厚度、折射率和消光系数。 对硅衬底背面生长的氧化膜厚度和背面多晶硅厚度的监控是采用在生产氧化膜或背面多晶层时，在工艺过程中加入一个抛光陪片的方法完成的。