国家标准计划《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 、苏州纳维科技有限公司 。

氮化镓属于第三代宽禁带半导体材料，在国防、航空航天、照明、电力电子等方面有重要应用，是当前半导体材料产业的发展前沿。

工信部等部门2017年颁发的《新材料发展指南》中明确把以氮化镓为代表的宽禁带半导体列为重点发展的关键战略材料。

氮化镓单晶衬底材料是氮化镓基材料及相关器件生长最理想的衬底，其应用可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高发光效率及器件工作寿命。

氮化镓单晶衬底片的一个重要特点是其存在着晶面弯曲现象。

晶面弯曲造成了衬底各处斜切角度的变化及表面原子台阶的变化，对随后外延生长的氮化镓基材料及器件的性能有极其重要的影响。

传统的测量半导体衬底弯曲度、翘曲度的方法只能检测样品表面的弯曲状态，而表面平整，弯曲度为零的样品，其内部晶面仍然可能存在着较大的弯曲，从而影响衬底片的性能。

为了评估衬底片晶面弯曲状态，我们编制了本方法，采用X射线衍射方法进行衬底片晶面曲率半径的测量，反映晶面取向特性。

该方法具有快速、准确、无损的特点，其测试标准的建立，将有助于氮化镓单晶衬底片及类似产品质量的评估，对氮化镓单晶衬底片的应用起到促进作用。

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本标准适用于氮化镓单晶衬底片晶面弯曲曲率半径的测试和定量分析。 本项目拟编制《氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》，对该方法的适用范围、测试原理、仪器配置以及测试步骤等进行规定，具体见标准草案。