国家标准项目《集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 。

本标准规定了Low COP硅单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等。技术要求主要包括除了通常的单晶抛光片的技术要求外，特别对几何参数中的局部平整度，表面的颗粒尺寸和数量有更高的要求。除此之外，还将对晶体原生凹坑有要求，这要求不仅包含尺寸和数量，还涉及检测方法的提高和过程监控。 本标准适用于(200~300)mm直径的P型轻掺B<100>(0.1~100)Ω？cm的Low COP抛光片。产品主要应用于对小尺寸COP（主要指粒径小于0.16μm）敏感的集成电路，如微控制器（MCU）、非易失性闪存（Nor Flash）、汽车电子、嵌入式内存、指纹识别技术等高端集成电路。 Low COP产品面向了高端集成电路市场，产品首先要满足高品质硅抛光片的几何参数以及颗粒要求，在此基础上，还应满足COP的尺寸和数量要求，并规定了其测试方法。