国家标准项目《磷化铟单晶》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所 。

本标准规定了磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、要求（直径、导电类型、电阻率、霍尔迁移率、晶向、位错密度、表面质量等）、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等内容。本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化铟单晶材料。 主要修订内容如下： 磷化铟单晶特性： 与GB/T 20230-2006相比，1、增加磷化铟单晶的直径参数及允许偏差，提高几何参数技术指标，并对未滚圆磷化铟单晶锭进行单独说明；2、修订位错密度要求；3、加严了磷化铟单晶的电学参数要求；4、增加非掺杂磷化铟材料的技术要求；5、增加磷化铟单晶结晶质量和环境适应性要求。 磷化铟单晶片特性： 与GB/T 20230-2006相比，1、修订单晶片表面质量的指标要求；2、提高各类型磷化铟单晶片几何参数要求；3、增加了晶向及偏离度要求。