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国家标准计划《磷化镓单晶》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 中国电子科技集团公司第十三研究所

目录

基础信息

计划号
20194175-T-469
制修订
修订
项目周期
18个月
下达日期
2020-01-13
公示开始日期
2019-01-03
公示截止日期
2019-01-18
标准类别
产品
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

目的意义

磷化镓单晶材料是重要的化合物半导体材料,其作为衬底材料在发光二极管(LED)行业有着广泛的应用。

磷化镓单晶的结构均匀性、几何尺寸、位错密度等性能参数对后续的外延工艺和器件性能有着重要的影响。

本次修订主要对磷化镓单晶的几何尺寸、位错密度、表面质量等内容进行修订,同时增加掺锌的P型磷化镓单晶的要求。

修订后的标准对目前各类型磷化镓单晶及单晶片的几何尺寸、性能指标、表面质量进行了更加详细、科学的规定,可作为磷化镓单晶研制单位的研制生产依据、使用单位的选用和采购依据、检验机构的检验和试验依据,促进磷化镓单晶的推广应用。

范围和主要技术内容

本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的N型及掺Zn的P型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、要求(导电类型、几何参数、电学参数、晶向、表面质量等)、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于高压液封直拉法(HP-LEC)制备的磷化镓单晶材料。 主要修订内容如下: 1、增加掺锌的P型磷化镓单晶及其要求; 2、细化各类型磷化镓单晶的位错密度指标要求; 3、细化单晶片表面质量要求; 4、提高单晶片几何尺寸精度要求。