国家标准计划《电子工业用四氯化硅》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 湖北晶星科技股份有限公司 、湖北省标准化与质量研究院 、西南化工研究设计院有限公司 、中国电子技术标准化研究院 、随州市标准化信息研究所 、湖北光谷标准创新科技有限公司 。

光纤级四氯化硅（OVD级、VAD级、PCVD级） 电子工业四氯化硅

本标准规定了电子工业用四氯化硅的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输及贮存。 本标准适用于电子工业用四氯化硅。 组份要求： 项目 指标 四氯化硅(SiCl4)纯度（体积分数）/l0-2 ≥ 99.99 99.999 三氯氢硅(SiHCl3)含量（体积分数）/l0-6 ≤ 10 2 二氯二氢硅(SiH2Cl2)含量（体积分数）/l0-6 ≤ 10 2 甲基二氯氢硅(SiCl2CH4)含量（体积分数）/l0-6 ≤ 10 2 氯化氢(HCl)含量（体积分数）/l0-6 ≤ 70 4 金属元素及其他元素含量要求 金属元素及其他元素含量/μg/L 指标 99.99×10-2（体积分数） 99.999×10-2（体积分数） 钴（Co） ≤ 20 1 铬（Cr） ≤ 20 1 铜（Cu） ≤ 20 1 铁（Fe） ≤ 20 5 锗（Ge） ≤ 10 3 锰（Mn） ≤ 20 0.5 镍（Ni） ≤ 20 1 钒 （V） ≤ 20 2 钛（Ti） ≤ 0.1 0.1 铅（pb） ≤ 0.5 0.5 锌（Zn） ≤ 1 1 铝（Al） ≤ 1 1 镁（Mg） ≤ 0.5 0.5 硼（B） ≤ 0.1 0.1 磷（P） ≤ 0.3 0.3 透光率要求： 组分 透光率/% 99.99×10-2（体积分数） 99.999×10-2（体积分数） 羟基三氯硅烷（SiCl3OH） ≥ 40 90 （C-H ar）含有碳氢键的芳香簇化合物（以甲苯计） ≥ 70 99 （C-H al）含有碳氢键的醛类化合物（以甲醛计） ≥ 70 95 二氧化碳（CO2） ≥ 80 95 四异氰酸脂硅（Si(NCO）4） ≥ 85 97 甲基三氯硅烷（Si(CH3）Cl3） ≥ 85 95 六氯氧硅烷（Si2OCl6） ≥ 85 95