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国家标准计划《集成电路CMOS图像传感器测试方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

目录

基础信息

计划号
20182264-T-339
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2018-11-02
公示开始日期
2018-07-26
公示截止日期
2018-08-10
标准类别
方法
国际标准分类号
31.200
31 电子学
31.200 集成电路、微电子学
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

目的意义

本项目的目的是建立一套针对各类CMOS图像传感器的性能参数测试方法和测试系统构建标准。

规定并阐述各参数的物理意义,形成各参数标准测试方法,并匹配测试方法构建参数测试平台,最终可为相关CMOS图像传感器研制及应用单位提供规范统一的参数测试标准。

范围和主要技术内容

本标准形成后,可同时适用于CMOS图像传感器生产商和应用商,为CMOS图像传感器乃至数码相机性能评价提供统一的测试标准,为机器视觉、航空/航天遥感、医疗器械、民用摄影等众多领域提供测试依据。 主要技术内容包括测试参数提取及规范阐述其物理意义;覆盖各类型CMOS图像传感器,针对各参数建立标准的测试方法,并提供详细的测试流程;提供供参考的测试系统硬件构建方案,指导厂商完成测试系统构建,并应用标准测试方法完成相关参数的测试。 标准编写过程中,须开展的工作包括:详细调研CMOS图像传感器生产商和应用商,提炼出能够全面覆盖CMOS图像传感器各项性能的待测参数,并规范阐述其物理意义;在前期技术积累基础上,规范参数测试方法,构建和改进测试平台,并开展相关试验,对测试方法的规范性及实施细节予以验证;用规范和标准化语言完成标准的编写,注重标准的规范性和可执行性。