国家标准计划《锗单晶和锗单晶片》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 南京中锗科技有限责任公司 。

锗是半导体元素，过去主要用于电子工业，包括晶体管、二极管、整流器、超导体、探测器和太阳能电池衬底材料等。

因为锗单晶在1.8-20um波长范围内都具有较好的透过率，另外它具有高折射率、低色散、易加工、机械强度好、不吸潮等优点，因而近几年锗单晶是热像仪的红外光学元件（窗口、透镜、滤光片等）的主要材料。

随着红外热成像远距离侦探技术的发展，需要制备大直径的红外锗单晶光学材料。

因为单晶从原来的50mm发展到300mm,原标准中的部分条款，如技术要求，检验规则等方面，特别是标准中断面电阻率不均匀度，已完全不符合客户的要求。

导致双方进行贸易时无统一标准可依，另外太阳能电池衬底锗单晶片已有标准，对原来适应太阳能电池衬底锗单晶和锗单晶片的部分应当删除，其次原标准的部分内容已不适应现行锗行业的发展方向及要求，需要对原标准的部分条款进行进一步的修订。

本标准规定了锗单晶和锗单晶片的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书等要求。本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底、红外光学等用的锗单晶和锗单晶片的一般要求。 本次主要修订内容如下： ——修改了标准的适用范围，增加了“红外光学用”； ——修改了锗单晶的断面电阻率不均匀度要求； ——修改了锗单晶的直径范围，增加了对应要求。