国家标准计划《发光二极管芯片点测方法》由 339-1（工业和信息化部（电子））归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 三安光电股份有限公司 。

发光二极管应用广泛，可常见用于显示屏、交通信号灯、照明灯具等等和我们周边生活息息相关的产品上。

芯片作为发光二极管的核心部件，是由企业通过生产流水线成批大量生产出来的。

在量产的测试环节中，芯片是在脉冲状态下进行的，测试时间仅有短短的几分之一秒，为了符合企业的生产运作模式，必须制定产业界切实有效的发光二极管芯片点测方法的标准。

现行《发光二极管芯片测试方法》不适合批量生产，制定本标准可以填补批量生产光电性能测试方法标准的空白，同时对下游封装企业来料检验、代工工厂及第三方检验机构检测都具有指导性意义。

规定了发光二极管芯片的点测条件和点测方法。适用于可见光发光二极管芯片光参数和直流电参数的点测。紫外光、红外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 主要 技术内容：对影响芯片点测数据结果的条件进行规范，主要有：大气条件、点测仪器、点测芯片状态、芯片点亮条件、驱动方式、芯片点测步骤、点测参数等内容。