国家标准计划《锗晶体缺陷图谱》由 TC243（全国有色金属标准化技术委员会）归口 ，主管部门为中国有色金属工业协会。

主要起草单位 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 。

目前，随着锗行业的快速发展，锗单晶的生产原料、生产工艺等方面已发生了很大变化，因年代较久，原标准中的部分条款，如适用范围，缺陷图谱类型，产生原因，消除方法等方面，与现行锗生产厂家生产出的锗单晶缺陷已大不相同，有许多新增加缺陷，有的已没有相似的缺陷产生，因此锗晶体缺陷图谱已不适应现行锗行业的发展方向及要求，需要对原标准的部分条款进行进一步的修订，按现有的生产工艺及产品中存在的缺陷类型重新进行缺陷采集与分类，以便于为现在锗的生产厂家参考使用。

2013年7月-10月对国内主要的锗单晶生产厂家如北京有色金属研究总院、昆明冶金研究院、北方红外、南京中锗科技有限公司等生产及使用单位进行了调研走访，均认为有必要进行修订，修订内容与原标准相比，主要根据现行锗生产中出现的缺陷情况，修订了原标准中规定的锗晶体缺陷的种类、产生原因、产生机理及消除方法等；拟修订的标准适用于以区熔锗锭为原料生产出的半导体用锗单晶、红外光学用锗单晶及太阳能电池用锗单晶的单晶生长过程及加工过程。