国家标准计划《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 。

载流子寿命是半导体材料的一个重要参数。

用载流子寿命来探测直拉硅单晶的质量，如晶体缺陷，杂质沾污水平等，以及生产过程中带来的损伤和沾污，有很大的指导意义。

由于可以做到无接触测试，表面处理相对简单，而被广泛运用。

但是测量过程中，表面钝化技术是确保获得可重复性测量结果的关键技术，这其中的干扰因素有待进一步明确，钝化过程和测量过程需要更规范。

本标准的修订将更加明确涉及的表面钝化过程和测量过程，便于相关企事业单位的使用。

本标准规定了硅片载流子复合寿命的测试方法，主要适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子体寿命测试。被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在（0.05-1）Ω？cm之间。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 本次修订内容主要如下： 在干扰因素中，明确不同寿命级别晶体的表面处理方式； 取样及样片制备中，加入化学抛光过程以及样片化学抛光后，钝化前的保存过程。