国家标准项目《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 峨嵋半导体材料研究所 。

硅多晶气氛区熔基磷检测方法是峨嵋半导体材料研究所40年多晶硅生产检验的方法之一，现在已经成为硅多晶基磷含量的经典检测分析方法，并在国内各多晶硅、单晶硅生产厂家推广应用，并与低温红外、光致发光等测试方法比对及验证，该测试方法准确、可靠。目前该标准在2007年9月颁布后，从实施效果看需要修订，主要在取样方式和籽晶使用材料上，因此提出修订硅多晶气氛区熔基磷检验方法。 根据GB/T 29057-2012标准，先将多晶硅样品经区熔拉制成单晶，再制成分析样品检测。通过在适当位置取样用低温红外光谱法或荧光光谱分析法测得其中的基磷含量。也可以检测硅单晶样品中n型电阻率，对照硅中杂质浓度与电阻率曲线的关系，查出基磷杂质含量，间接评价多晶硅产品中的基磷杂质含量和质量等级，这也是SEMI及国内外行业内通行的做法。硅单晶拉制成长度不小于12个熔区、直径10mm-20mm的样棒，直接测定。方法检测限：基磷含量0.002ppba-100ppba。 本标准同GB/T 4059-2007相比，主要有如下变化： 修订籽晶的要求； 增加部分干扰因素内容； 修订样芯长度； 修订规范性引用文件。