国家标准计划《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 。

原标准GB/T 1551-2009版本干扰因素中对于环境条件的要求规定较为严苛，温度和光照虽然会对电阻率产生一定影响，但是可以通过给出修正系数的方式解决，附录中给出了18℃～28℃范围硅的电阻率温度系数，可以在较宽的温度范围内对电阻率测试结果进行校正，建议修改环境温度条件为（23±3）℃，光照条件也建议改为尽量在较暗的光线下测试，通过实验得出光照系数对电阻率测试结果给予修正。

修订后的标准会更加符合目前电阻率测试实际，方便相关企事业单位的使用。

本标准规定了硅单晶电阻率的测定方法，包括直排四探针法和直流两探针法。本次修订主要对原标准内容中干扰因素进行修改，放宽测试时的温度和光照条件，通过实验给出温度系数和光照系数对电阻率测试结果进行修正。另外，在直排四探针法中将硅单晶电阻率范围按p型和n型分别规定、增加了引用标准、增加了对使用试剂的要求；直流两探针法中增加了干扰因素。