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国家标准计划《半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法》由 TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)

主要起草单位 成都振芯科技股份有限公司

目录

基础信息

计划号
20154229-T-339
制修订
制定
项目周期
12个月
下达日期
2016-03-16
公示开始日期
2015-11-19
公示截止日期
2015-12-05
标准类别
方法
国际标准分类号
31.200
31 电子学
31.200 集成电路、微电子学
归口单位
全国集成电路标准化技术委员会
执行单位
全国集成电路标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部(电子)

起草单位

目的意义

LVDS接口电路其技术核心是采用较低的电压摆幅高速差分传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接;该技术具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等特点。

LVDS接口在对信号完整性、低抖动及共模特性要求较高的系统中得到了越来越广泛的应用,在信息化高速公路的建设中发挥了主导作用。

基于LVDS技术的LVDS接口电路和高速SerDes电路目前已经成为一种通用的接口。

在军民应用领域,数据率在数百兆到数千兆的LVDS已在要求高可靠性和高稳定性的装备中得到广泛应用。

根据电子元器件中长期规划,预计到2015年末,对LVDS及SerDes的数据率需求将达到3.125Gbps,到2020年,则高达6.25Gbps~12.5Gbps。

数据率高且要求更低抖动、更低功耗、更远距离传输的LVDS芯片及其验证方法将有着广泛的应用。

通过此标准的制定,不仅可在十二五、十三五期间满足高速、低功耗、低抖动的LVDS接口产品标准化测试需求,而且可以对后期更高数据率产品的测试验证提供指导性的通用规范支持。

范围和主要技术内容

本标准适用于LVDS接口电路,规定了测试方法,测试原理及测试的注意事项,主要的测试内容包括:输入高电平阈值电压、输入低电平阈值电压、输出LVDS高电压、输出LVDS低电压、共模输出电压、互补态共模输出电压的变化、差分输出电压、互补态差分输出电压的变化、LVDS输出短路电流、LVDS输出高阻态电流等参数。