国家标准计划《非本征半导体材料导电类型测试方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 乐山市产品质量监督检验所 。

当向半导体中添加受主或施主物质(称为掺杂物)，通过施主型杂质解离向导带注入电子或受主型杂质俘获价带电子产生了自由载流子，使本征半导体产生额外的电导，成为非本征半导体。

非本征半导体由于添加受主型杂质或施主型杂质分别成为p型半导体或n型半导体。

随着半导体材料产业的飞速发展，近年来非本征半导体材料导电类型测试方法也在不断改进，原有标准GB/T 1550-1997已经不能充分适应目前半导体材料产业发展的需要，因此需要对原有标准进行修订。

标准主要参考SEMI MF 42-1105(0611)对国家标准GB/T 1550-1997进行修订，进一步完善非本征半导体材料导电类型的测试方法。

本标准修订时增加表面光电压测非本征半导体材料导电类型的测试方法，扩展原标准的适用范围，将使GB/T 1550更为完整、先进，更好的满足目前半导体材料产业发展的需要。

本标准利用热电势、整流、表面光电压等方法来测定非本征半导体材料的导电类型，适用于非本征半导体材料导电类型的测定。主要增加表面光电压测非本征半导体材料导电类型的测试方法。 本标准新增的表面光电压测非本征半导体材料导电类型的测试方法相较于其它方法最大的优点是测试的非本征半导体的电阻率范围较宽（可以测量电阻率为0.02Ω？cm ～3000Ω？cm的硅片），并且适用于大于1000Ω？cm的n型和p型硅材料。本测试方法被广泛应用于硅片导电类型的非接触在线测试。标准的修订是根据实际应用发展的需要进行，有较强的适用性，满足半导体材料产业发展的需要。乐山市产品质量监督检验所具有修订本标准的技术条件。