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国家标准计划《高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。

主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 。

主要起草人 章安辉 、黄庆涛 、何秀坤 。

目录

项目进度

当前标准计划

20070860-T-469 已发布

高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
已发布标准

基础信息

计划号
20070860-T-469
制修订
制定
项目周期
24个月
下达日期
2007-11-19
标准类别
方法
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
29 电气工程
29.045 半导体材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准委

起草单位

起草人

章安辉
黄庆涛
何秀坤

采标情况

本标准等同采用其他国际标准:SMEI M63-0306。

采标中文名称:准则:采用高分辨率X光衍射法测量砷化镓衬底上AlGaAs中Al百分含量的测试方法。

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