国家标准计划《极紫外(EUV)光刻胶测试方法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 上海大学 、张江国家实验室 、上海华力集成电路制造有限公司 、上海微电子装备（集团）股份有限公司 。

国家实验室、国内主要高校科研院所研发任务直接相关的EUV光刻胶、重要测试仪器及其模块等。

极紫外（EUV）光刻胶作为半导体制造进入3 nm及以下节点的核心材料，其性能直接决定了芯片制造的良率与制程精度，对我国集成电路产业实现自主可控发展具有重大战略意义。

当前，随着全球半导体产业向先进制程加速演进，EUV光刻技术已成为7 nm及以下节点的唯一量产方案。

然而，与之配套的EUV光刻胶市场长期被日美企业垄断（JSR、东京应化等占据超过95%全球市场份额），导致我国高端芯片制造面临严重的供应链安全风险。

在国内晶圆厂扩产潮持续高涨、5G和人工智能等领域对先进芯片需求激增的背景下，EUV光刻胶的国产化率为零，研发也仍处于起步阶段，亟需突破材料自主化与标准化壁垒。

EUV光刻胶需要满足超高真空环境（10??~10?? Pa）下的低释气污染、纳米级分辨率以及原子级纯度（金属杂质<10 ppb）等严苛的技术要求。

然而，目前国内在EUV光刻胶测试领域尚未建立统一的技术规范，现有测试方法多沿用国外企业标准，导致在灵敏度（E0）、线边缘粗糙度（LER）等核心性能指标的检测流程上缺乏标准化，这不仅使得国产材料的验证周期长达1-2年，更严重制约了我国光刻胶产业的自主创新发展。

为应对这一挑战，制定《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》标准具有重要的现实意义。

该标准将系统性地整合材料特性和性能参数，重点规范EUV光刻胶在纯度、抗蚀性、线边缘粗糙度、线宽粗糙度、释气污染、粘度、颗粒度、分辨率、灵敏度和对比度等关键性能指标的测试方法。

通过衔接《半导体光刻胶用树脂技术规范》等国内现有标准，构建覆盖"原材料-光刻胶-芯片制造"的全链条标准体系，为材料研发、生产制造和晶圆厂应用提供科学规范的评估依据。

本标准的制定不仅能够填补国内在该领域的技术标准空白，更将通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺。

具体而言，标准实施后将实现三大目标：一是推动测试数据互认，降低晶圆厂对国产材料的导入风险；二是促进测试设备国产化替代，有效压缩研发成本；三是加速实现从"进口依赖"到"自主可控"的产业跃迁。

项目旨在通过对EUV光刻胶各项性能要求的系统分析、归纳和总结，制定科学合理的测试方法通用规范，为我国EUV光刻胶关键核心技术的突破提供标准化支撑，最终推动国内高端光刻胶产业实现高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。

本文件规定了极紫外光刻胶的测试方法，主要包括纯度测试方法、化学结构测试方法、抗蚀性能测试方法、线边缘粗糙度和线宽粗糙度测试方法、释气污染测试方法、黏度测试方法、颗粒度测试方法、分辨率测试方法和灵敏度和对比度测试方法。

国家自然科学基金重大项目-高端光刻胶先进工艺仿真及染料分子服役特性工程基础研究、电子信息产业质量基础设施体系建设、发展分析及重要标准和可靠性突破