国家标准计划《电子级（正丙基环戊二烯基）三（二甲氨基）锆》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 苏州源展材料科技有限公司 、苏州实验室 、中国电子技术标准化研究院 。

本标准涉及半导体行业DRAM淀积高介电常数薄膜用电子级（正丙基环戊二烯基）三（二甲氨基）锆。

本项目开展的目的是为了建立和统一国内电子级（正丙基环戊二烯基）三（二甲氨基）锆（以下简称nPr-CpZr） 产品的纯度标准及其相关的检测方法，使得国内该产品的潜在生产厂商能够与国外竞品和国内同行进行对标，加速终端DRAM客户的国产化验证进度。

nPr-CpZr产品被认为是可以取代CpZr（环戊二烯基三（二甲氨基）锆的下一代DRAM 高介电材料，具有更高的热稳定性和填孔性能，能够在更高的沉积温度下实现更高的介电常数。

尽管目前该产品在国外已有规模化量产，国内DRAM企业也已经有相关的进口使用，但并未形成相关标准。

在缺失该标准的情况下，国内厂商与国外产品较难实现对标，下游客户的国产化导入验证进度也因此延迟。

本项目的重要意义在于推动实现先进DRAM产业链中的关键原材料的国产化替代。

通过形成国家标准，统一国内生产厂的检测方法及出厂标准，能够大幅降低终端DRAM厂商国产化验证中的前期产品对比环节的时间，同时减少后期验证阶段出现产品质量问题的风险，降低整体国产化替代的壁垒。

本标准规定了半导体行业用电子级（正丙基环戊二烯基）三（二甲氨基）锆的技术要求、检测方法、检验规则、包装、标志及随货资料、运输、贮存及安全信息的要求。 本标准规定了产品技术指标、检测方法、检验规则、包装、标志及随货资料、运输、贮存及安全信息

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