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国家标准计划《电子级三(二甲氨基)环戊二烯基锆》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 南大光电半导体有限公司苏州实验室苏州源展材料科技有限公司

目录

基础信息

制修订
制定
项目周期
18个月
公示开始日期
2025-10-23
公示截止日期
2025-11-22
标准类别
产品
国际标准分类号
31.030
31 电子学
31.030 电子技术专用材料
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准委

起草单位

涉及的产品清单

电子级三(二甲氨基)环戊二烯基锆

目的意义

电子级三(二甲氨基)环戊二烯基锆(简称TDMACpZr),分子式 C11H23N3Zr ,是一种有机金属化合物,无色或黄色透明液体,对空气和水汽敏感,能溶于烃类、四氯化碳等有机溶剂中。

具有较好的稳定性和较高的蒸汽压,同时具有相当高的反应活性。

沸点:94℃,分解温度:50℃,闪点:108℃,密度:1.26g/cm3,爆炸下限:2.8%,爆炸上限:14.4%。

电子级TDMACpZr是一种性能稳定、易挥发的CVD或ALD前驱体材料,CAS号:33271-88-4,在半导体领域中用于制备锆氧化物薄膜,是取代硅基栅极绝缘体的Hi-K材料之一是CVD和ALD。

近年来,随着以DRAM为代表的半导体存储器和器件的小型化,作为高介电材料的含锆薄膜在电容器领域受到关注。

由于CVD和ALD具有优异的薄膜均匀性、组成控制和量产性,在制造业中是主流。

目前电子级TDMACpZr在国际和国内都没有明确的标准可以参考,仅仅是按客户的要求,而非通用的规范,不利于目前国内IC行业的快速发展。

本项目旨在通过对IC客户的要求进行调研、分析、归纳、总结,建立产品外观、结构完整性、化学性能、物理性能、环境性能等接收标准和检验方法,制订电子级TDMACpZr产品的通用技术标准,实现电子级TDMACpZr产品标准的“零”的突破,为集成电路的应用提供原料保障;实现国内锆基前驱体行业的知识产权、技术能力及发展的自主可控,为锆基膜技术发展指引方向。

范围和主要技术内容

标准的技术内容包括:一般要求、设计、材料、外观、结构完整性、化学性能、物理性能、环境性能和特殊性能要求等,以及质量保证要求、交货要求等。 本项目的适用范围为:电子级三(二甲氨基)环戊二烯基锆(以下简称TDMACpZr)产品的技术要求、质量保证和交货准备等规定;适用于CVD沉积工艺所用的硅基前驱体。

国家级科研专项支撑

电子信息产业质量基础设施体系建设、发展分析及重要标准和可靠性突破;14nm先进制程高纯前驱体材料的开发和产业化