国家标准计划《半导体晶片近边缘几何形态评价 第4部分：不完整区域局部平整度法（PSFQR、PSFQD、PSBIR）》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 山东有研艾斯半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 、西安奕斯伟材料科技股份有限公司 、中环领先半导体科技股份有限公司 、上海新昇半导体科技有限公司 。

随着晶片直径的增加及线宽的不断降低，对晶片几何参数的要求也在不断提高，而影响几何参数的最大因素来源于晶片的近边缘区域（通常指晶片边缘30 mm的环形区域）。

究其原因主要是和目前使用的晶片加工工艺有关，由于研磨、腐蚀、抛光工艺本身的近边缘区域，晶片几何形态质量变差的现象更为常见。

此前，国际上已经出台了针对大直径硅片近边缘区域几何形态评价的四个标准，以不同的测试区域、计算方法对这一区域进行评价，量化了近边缘区域的几何形态参数。

截止目前，国内半导体行业还没有针对近边缘区域的国标，仅有一个行业标准YS/T26硅片边缘轮廓检验方法，但此标准主要适用于评价晶片边缘的（倒角）斜面的角度、长度以及轮廓形状（如R型或T型），而近边缘几何形态主要是为了评价晶片抛光面距边缘30mm左右的环形区域，或者用于沿晶片半径对抛光面选定区域的评价。

本文件规定了边缘不完整区域局部平整度的取样、计算方法，用以评价半导体晶片的近边缘几何形态。本文件主要适用于200-300mm直径的抛光片、外延片、SOI片，也可用于其他尺寸的硅片或其他半导体材料晶片的边缘不完整区域平整度的评价。 按照不同的晶片标称半径、局部位点长度、局部位点偏差等在晶片的正表面构建一个包含N个局部位点的点阵图，扫描测试晶片，获得厚度的空间阵列。利用所有的不完整局部区域的厚度数据阵列拟合一个基准面，计算得到该边缘不完整区域相对于基准面的平整度值，并进一步得到该片扇形区域平整度的最大值、最小值、平均值和标准偏差。同理可获得获得PSFQR 、 PSFQD 的数据，从而定量的评价了半导体晶片的近边缘几何形态。