国家标准计划《刻蚀机用碳化硅环、碳化硅盘》由 TC194（全国工业陶瓷标准化技术委员会）归口，TC194SC3（全国工业陶瓷标准化技术委员会功能陶瓷分会）执行 ，主管部门为中国建筑材料联合会。

主要起草单位 深圳市志橙半导体材料股份有限公司 、浙江富乐德半导体材料科技有限公司 、中微半导体设备（上海）股份有限公司 、长江存储科技有限责任公司 、北京北方华创微电子装备有限公司 、粤芯半导体技术股份有限公司 、广州增芯科技有限公司 。

1　范围： 文件规定了刻蚀机用碳化硅部件的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件以及订货单内容。 文件适用于刻蚀机用直径150 mm～400 mm的碳化硅环及直径300 mm～600 mm碳化硅盘。 2　技术要求 2.1　性能指标 刻蚀机用碳化硅环、碳化硅盘应符合以下性能指标： 晶体结构：多晶β相(3C-SiC)； 密度：3.20～3.21g/cm3 维氏硬度：26～32GPa 杨氏模量：420～450GPa 弯曲强度(室温)：450～540MPa 热膨胀系数：≤4.5E-6（Rt～1000℃）/K 热导率：280～320W/m？k 纯度：≥99.9999% 体积电阻率：0.005~0.1？·cm，或由供需双方协商确定 2.2　几何尺寸 碳化硅环外径及允许偏差：(150 mm～400 mm）±0.05 mm，具体直径由供需双方根据具体需求协商确定；碳化硅盘外径及允许偏差：(300 mm～600 mm）±0.05 mm，具体直径由供需双方根据具体需求协商确定； 碳化硅环厚度及允许偏差：(4～10）±0.05 mm或由供需双方协商确定；碳化硅盘厚度及允许偏差：(1～15）±0.05 mm或由供需双方协商确定； 碳化硅环、碳化硅盘平面度：≤0.05 mm； 碳化硅环、碳化硅盘倒角：通常为R型倒角，长度及允许偏差：（0.3 mm）±0.1 mm，或由供需双方协商确定； 碳化硅环内径及允许偏差：内径尺寸由供需双方协商确定，硅环内径允许偏差为±0.1 mm； 碳化硅盘位置度：≤0.1 mm； 2.3　表面洁净度 刻蚀机用碳化硅环、碳化硅盘的表面洁净度要求应符合以下规定： Li元素含量<50×10^10atoms/cm2；Na元素含量<500×10^10atoms/cm2；Mg元素含量<100×10^10atoms/cm2；Al元素含量<500×10^10atoms/cm2；Fe元素含量<50×10^10atoms/cm2；Co元素含量<25×10^10atoms/cm2；Ni元素含量<10×10^10atoms/cm2；Cu元素含量<30×10^10atoms/cm2；K元素含量<150×10^10atoms/cm2；Ca元素含量<500×10^10atoms/cm2；Ti元素含量<10×10^10atoms/cm2；V元素含量<50×10^10atoms/cm2；Cr元素含量<10×10^10atoms/cm2；Mn元素含量<10×10^10atoms/cm2；Zn元素含量<100×10^10atoms/cm2；Y元素含量<10×10^10atoms/cm2；Zr元素含量<10×10^10atoms/cm2；Mo元素含量<20×10^10atoms/cm2；Pb元素含量<20×10^10atoms/cm2；W元素含量<10×10^10atoms/cm2； 表面颗粒数应符合：粒径大于0.1um的表面微粒数≤1个/cm2。 2.4 表面质量 刻蚀机用碳化硅部件的表面及端面（包括倒角面）为抛光面，表面应无划伤、崩边、沾污和色差。 注： ①划伤：被锋利坚硬物品刮擦表面造成的表面细窄切口或痕迹，可能是由部件的非预期或粗心操作引起。 ②崩边：在工件边缘等存在宏观高低落差处存在的宏观缺损，可能是由加工不当或意外撞击造成。 ③沾污：由于不适当的处理、外来物质粘附或材料固有的不均匀性导致的表面变色或污迹。 ④色差：与正常表面相比，部件表面有变色现象，从视觉上可辨认出差异。 4.5 表面粗糙度 刻蚀机用碳化硅部件的表面粗糙度Ra应小于0.5um，或由供需双方协商确定。