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国家标准计划《电子气体 六氟化钨》由 TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC1(全国半导体设备和材料标准化技术委员会气体分会)执行 ,主管部门为国家标准委

主要起草单位 昊华气体有限公司福建德尔科技股份有限公司中船(邯郸)派瑞特种气体有限公司广东华特气体股份有限公司浙江省化工研究院有限公司中昊光明化工研究设计院有限公司西南化工研究设计院有限公司上海华爱色谱分析技术有限公司大连大特气体有限公司联雄投资(上海)有限公司空气化工产品(中国)投资有限公司等

目录

基础信息

计划号
20243664-T-469
制修订
修订
项目周期
12个月
下达日期
2024-12-31
公示开始日期
2024-11-06
公示截止日期
2024-12-06
标准类别
产品
国际标准分类号
71.100.20
71 化工技术
71.100 化工产品
71.100.20 工业气体
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会气体分会
主管部门
国家标准委

起草单位

与国家标准同步制定外文版

编号 语种 翻译承担单位 国内外需求情况
1 EN 昊华气体有限公司 六氟化钨是钨的氟化物中唯一稳定并被工业化生产的品种,因其优良的电性能,在半导体工业中主要用于金属钨化学气相沉积(CVD)工艺,?作为配线材料和电极材料。??通过沉积和堆叠,?六氟化钨制成大规模集成电路中的导电膜和金属配线材料,?如WSi2,?用于大规模集成电路(LSI)的配线材料。?此外,?六氟化钨还可作为半导体电极的原材料、?氟化剂、?聚合催化剂及光学材料的原料等。六氟化钨在半导体产业中的需求量较高,全国消费量2021年为1125吨,预计2025年增加到4500吨,?复合年增长率超过300%。电子?半导体工业是六氟化钨的重要下游市场,?可以应用于化学气相沉积(CVD)工艺来制备钨膜,?也可以制备二硅化钨(WSi2)用于制造大规模集成电路用配线材料。?此外,?六氟化钨在太阳能产业中,还可用于制造X射线发射电极、?太阳能吸收器、?导电浆糊等产品。?随着电子半导体工业的不断发展,?对作为原材料的六氟化钨的纯度和质量提出了更高的要求,在此背景下,为提升电子气体科技水平发展,现申请立项制定《电子气体 六氟化钨》国家标准英文版。

目的意义

电子级六氟化钨在半导体工业中主要用于金属钨化学气相沉积(CVD)工艺,?作为配线材料和电极材料。

是一种性能极佳的高纯气体材料。

六氟化钨作为集成电路用量大、纯度要求高的基础材料,是国家重点鼓励发展的产品和产业,符合《“十四五”推动高质量发展的国家标准体系建设规划》中建设制造业高端化领域的材料标准的要求。

随着集成电路技术进步,对电子级六氟化钨的质量提出更高要求,目前,现行的电子工业用气体 六氟化钨标准(GB/T 32386-2015)已经执行近9年,随着技术进步和市场变化,适用范围、技术要求及试验方法等内容都需要修订。

2015版标准已无法现代集成电路产业的要求,因此建议重新修订该标准。

通过对标准的修订,旨在对生产和检测提供指导性作用,对下游半导体产业的发展提供质量保障。

有利于提高我国高端电子材料自给能力,推动电子相关产业进步,扩大我国高纯电子材料对外影响力,有效服务于国家战略需求。

范围和主要技术内容

本文件规定了电子级六氟化钨的的技术要求、采样、试验方法、检验规则、标志、标签、随行文件、包装、充装、运输、贮存要求,描述了电子气体六氟化钨的试验方法,提供了电子气体六氟化钨的安全信息。 本文件适用于钨粉和氟化氢通过氟化剂氧化法合成经分离提纯得到六氟化钨。 修订的内容如下: ——更改了范围; ——增加了组批规则; ——增加了采样规定; ——更改了六氟化钨纯度的计算方法; ——更改了六氟化钨的检验规则; ——增加了标签要求; ——增加了随行文件要求; ——更改了包装、充装、运输、贮存的规定; ——增加了关于六氟化钨的安全信息。