国家标准计划《工业电热装置能耗分等 第49部分：碳化硅单晶生长装置》由 TC121（全国工业电热设备标准化技术委员会）归口 ，主管部门为中国电器工业协会。

主要起草单位 苏州优晶半导体科技股份有限公司 、西安电炉研究所有限公司等 。

第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广阔的应用前景。

第三代半导体材料是全球战略竞争新的制高点。

美、日、欧等各国，第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。

我国已将碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体材料及应用纳入了重点发展方向，科技部、工信部、国家发改委等多部委出台了多项政策予以支持，也是“863”项目、重大专项重点支持项目。

我国多地纷纷投入巨资发展“三代半”产业，目前已形成一定规模的生产能力，预计在今后10年，碳化硅单晶材料产业将以超过30%的增速发展。

目前，国内碳化硅晶体生产主要以“PVT”技术为主，碳化硅单晶生长装置方面已有相应的国家标准：GB/T 10067.417—2023《电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置》，然而碳化硅单晶生长装置是一个耗能产品，装置配置的好坏直接影响装置的能耗，目前碳化硅单晶生长装置能耗评定方面还没有相应的国际标准、国家标准或行业标准，为了节能降耗，有必要制定一个碳化硅单晶生长装置的能耗分等标准，填补国际国内空白，对规范碳化硅单晶生长装置产品推广应用、促进第三代半导体材料产业的健康发展、推动我国综合实力快速提升具有重要的现实作用和深远的历史意义。

1、范围：本文件规定了碳化硅单晶生长装置能耗等级指标和计算方法，适用于电阻加热法碳化硅单晶生长装置和感应加热法碳化硅单晶生长装置，其它碳化硅单晶生长装置参照使用。 2、主要技术内容：本文件根据碳化硅单晶生长装置的耗能特点，提出了能耗分等指标以及单位电耗的测定方法，用来指导碳化硅单晶生长装置的能耗分等、产品评级和推广应用。