国家标准计划《用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、电子科技大学 、广东工业大学 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63373:2022。

采标中文名称:用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 动态导通电阻测试方法指南。

本标准主要针对目前商用的GaN横向型功率器件所面临的动态导通电阻(RDS(ON))的测试难题，提出相关测试方法指南。其主要技术内容如下： （1）范围：规定了本标准的目的和适用范围，即增强型及耗尽型的GaN横向型功率器件动态导通电阻测试。 （2）规范性引用文件：列出了引用的其他标准。 （3）术语及定义：规定了“动态导通电阻”、“源漏极关断压降”、“关断脉冲宽度”、“开态脉冲宽度”等术语的具体含义。 （4）测试电路及波形：规定了基于硬开关、软开关拓扑的一般电路结构、测试流程及测试波形。 （5）测试要求：规定了测试过程中需要记录的关键参数及要求。