国家标准计划《半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法 》由 TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口 ，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 、电子科技大学 、湖南大学 、杰华特微电子股份有限公司 。

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63284:2022。

采标中文名称:半导体器件 基于感性负载开关的氮化镓晶体管可靠性试验方法。

本标准描述基于感性负载开关应力的GaN功率晶体管可靠性试验评价方法，以确定当GaN功率晶体管用于带感性负载的连续硬开关时，其能够可靠工作的条件。主要技术内容如下： （1）范围：规定了本标准的目的和适用范围，即通过感性负载开关（特别是硬开关应力）来评估GaN功率晶体管开关可靠性的步骤和试验方法。 （2）规范性引用文件：列出了引用的其他标准。 （3）本标准的术语和定义：规定了“氮化镓”、“铝镓氮”、“导通电阻”、“动态导通电阻”、“动态高温工作寿命试验”、“转换轨迹”等术语的具体含义。 （4）目标：定义一种开关可靠性试验评价方法，以确定当GaN功率晶体管用于带感性负载的连续硬开关时，其能够可靠工作的条件。 （5）适用的GaN功率晶体管：该试验方法适用于所有GaN功率晶体管，包括具有Si、SiC、蓝宝石或GaN等衬底的GaN功率晶体管；可以是横向类型的或垂直类型的器件；该试验方法可以应用于任何栅极结构，例如肖特基型、p-GaN型和绝缘栅型；也可适用于常关型、常开型和共源共栅型。 （6）试验程序和方法：规定了评估GaN功率晶体管开关可靠性所涉及的试验样品、试验电路、试验条件、详细的试验程序、失效判据、失效机制、加速度参数、样品数量、试验报告输出形式等内容。