国家标准项目《碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法》由 TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行 ，主管部门为国家标准委。

主要起草单位 广东天域半导体股份有限公司 、大连创锐光谱科技有限公司 、北京大学东莞光电研究院 、南京国盛电子有限公司 。

本文件规定了采用瞬态吸收法测试碳化硅外延层载流子寿命的方法。 本文件适用于厚度范围在5μm~200μm的碳化硅外延层载流子寿命的测试。 方法原理：使用两束可调节时间间隔的脉冲激光，其中一束光作为激发光，激发样品内部的电子，使之处于激发态。另一束光作为探测光，经过样品后被吸收一部分。分别测量有激发光时被样品吸收后的探测光光强和无激发光时被样品吸收后的探测光光强，计算得出瞬态吸收信号（差吸光度）。对测试数据进行单指数拟合，得到载流子寿命。